V-MOS-N-FET, 900V, 5A, 125W, <2, 5om, 3A, , TO-3PN-3, TO-247 , Toshiba 2SK2610
7,37 € (14,41 лв.)
6,14 € (12,01 лв.) без ДДС
14-ДНЕВНО БЕЗПЛАТНО И ЛЕСНО ВРЪЩАНЕ
Ако получите днес, последният ден за връщане на този артикул ще бъде 27 август
- Вземете от магазин: Поръчайте сега и го вземете от Магазин Бургас на следващия работен ден
- С доставка: 3-6 работни дни (18-ти авг – 21-ви авг)
Наложен платеж
2SK2610,2SK727, 2SK1341, 2SK1649..50, 2SK1794,++
Manufacturer: Toshiba
Product Category: MOSFET
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-3PN-3
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 900 V
Id - Continuous Drain Current: 5 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 150 W
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Height: 20 mm
Length: 15.5 mm
Series: 2SK2610
Transistor Type: 1 N-Channel
Width: 4.5 mm
Brand: Toshiba
Fall Time: 60 ns
Product Type: MOSFET
Rise Time: 40 ns
Subcategory: MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time: 26 ns
Typical Turn-On Delay Time: 8 ns
Unit Weight: 4,600 g
Налично количество:: 1
Начини на плащане
-
Visa
-
Mastercard
-
Банков превод
- Наложен платеж
Доставка
-
3-6 работни дни
-
3-6 работни дни
-
3-6 работни дни
Очаквана дата на доставка: 18-ти авг – 21-ви авг 2026
Условия за връщане
На основание чл. 50 от Закона за защита на потребителите /ЗЗП/, Клиент който има качеството на потребител по смисъла на ЗЗП има право да се откаже от договора за продажба от разстояние и да поиска връщане на поръчаните и закупени от него Стоки в срок от 14 /четиринадесет/ дни от датата на получаване на Стоките от Клиента или от трето лице, намиращо се на адреса на доставка. В случай, че Клиентът е поръчал повече от една стока с една поръчка, които се доставят отделно, 14-дневния срок за отказ от договора започва да тече от датата, на която Клиентът е получил последната стока.